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세계 반도체 생산의 미래

수요 증가를 위한 반도체 생산시설 구축 반도체 산업의 투자 지출은 매우 주기적이다. 1998년부터 2021년까지 연간 자본비용과 매출의 상관관계는 0.85이다. 그래서 간단히 말해서, 업계는 매출이 증가할 때 더 많이 투자한다. 언뜻 보기에 자본 지출을 원활하게 하는 것은 변동성을 줄이고 적어도 장기적으로 수익성이 있어야 한다. 하지만, 팹을 짓는 것은 매우 자본 집약적이다. 게다가, 매출액 대비 자본세 비율은 구조적으로 하락 추세이다. 1990년대 말에는 그 비율이 7이었는데, 오늘날에는 4 아래로 떨어졌다. 그만큼 투자 리스크가 높아지고 있다는 의미다. 2021년에 업계는 거의 1,400억 달러를 투자하여 사상 최고치를 기록했으며 2020년에 비해 약 36%, 2019년에 비해 약 49%의 플러스를 ..

2022. 7. 4.

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반도체 시장 11% 성장

반도체, 2022년 역풍에도 여전히 11% 성장 새로운 분기별 업데이트는 올해 마이크로프로세서와 전력 재량에 있어 더 높은 증가율을 보여주지만, 세계 경제가 더 큰 위험에 직면한 동안 광전자제품의 판매 증가율을 낮춘다는 것을 보여준다. 만연한 인플레이션, 치솟는 에너지 비용, 계속되는 공급망 결함, 최근 중국에서의 코로나19 바이러스 봉쇄, 그리고 우크라이나와 러시아의 전쟁에도 불구하고 IC Insights는 올해 전체 반도체 매출에서 11%의 증가를 예상하는데 이는 1월에 예상했던 것과 같은 성장률이다. 다만 IC인사이츠의 새로운 업데이트 전망에서 달라진 점은 반도체 시장이 어떻게 낮은 두 자릿수 성장률을 달성하고 2022년 6,807억 달러의 사상 최대 매출을 달성하느냐다. IC Insights의 M..

2022. 7. 3.

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2022년도 인텔 반도체 투자 방향

Intel, EU의 반도체 R&D 및 제조 분야에 330억 유로 이상의 초기 투자 발표 캘리포니아 산타 클라라, (BUSINESS WIRE) Intel은 오늘 연구 개발(R&D)에서 제조, 최첨단 패키징 기술에 이르기까지 전체 반도체 가치 사슬을 따라 향후 10년 동안 EU에 800억 유로를 투자할 계획을 발표했습니다. 오늘 발표된 내용에는 독일의 첨단 반도체 팹 현장에 초기 170억 유로를 투자하고, 프랑스에 새로운 R&D 및 설계 거점을 조성하며, 아일랜드, 이탈리아, 폴란드 및 스페인의 R&D, 제조 및 주조 공장 서비스에 투자할 계획이 포함되어 있습니다. 이 획기적인 투자를 통해 Intel은 자사의 최첨단 기술을 유럽에 도입하여 차세대 유럽 칩 생태계를 조성하고 보다 균형 있고 탄력적인 공급망의 ..

2022. 7. 1.

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FinFET 기술을 대체할 인텔의 RibbonFET

인텔의 RibbonFET 기술을 대체할 FET 올해 Intel의 Architecture Day에서 회사는 새로운 Ribbon에 대해 논의했다. FET 트랜지스터 아키텍처는 인텔의 기존 FinFET 기술에 비해 상당히 향상된 기능을 제공한다. 이러한 업계 최초의 게이트 만능 아키텍처 구현으로 설계자는 전압에 관계없이 구동 전류 제어, 스위칭 효율성 및 성능을 극대화할 수 있다. 또한 설계자는 Ribbon의 너비를 변경할 수 있다. FET의 매우 유연한 Ribbon 기반 채널로 여러 고성능 애플리케이션에 적합하다. 현재 FET 기술의 공통 과제는 5nm 노드로 확장해야 하는 증가하는 요구를 충족할 수 없다는 것이다. RibbonFET는 채널 역할을 하는 나노 Ribbon의 단일 스택을 제공하여 공간 제약 설..

2022. 6. 30.

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Extreme UV 포토리소그래피 설명

Extreme UV 포토리소그래피 EUV 리소그래피는 22 nm 미만의 피처 크기에서 단일 노출 패턴 요건을 충족하도록 개발되고 있다. 이 기술만의 독특한 점은 광원의 특성이다. F2 엑시마 레이저로부터의 빛의 파장인 157 nm 미만의 파장을 가진 기존의 광원은 쉽게 구할 수 없다. F2 엑시마 레이저 소스는 작은 피처 크기에서 리소그래피에 널리 사용되지 않았다. 이것은 아마도 필요한 CaF2 광학에서의 어려움들, 예를 들어 복굴절로 인한 마스크 등록 오류 증가, 그리고 157 nm 리소그래피, 즉 32 nm의 단일 노출 한계까지 기능하도록 한 193 nm 패턴 기술의 확장 성공 때문이다. 대신 리소그래피 장비 개발자들은 EUV 파장에서 빛을 발생시켜 32nm 이하의 크기의 리소그래피에 사용할 수 있는..

2022. 6. 29.

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Gate-All-Around (GAA) FET 의미, 주요 기업 등

Gate-All-Around (GAA) FET 집적회로(IC)는 반도체 재료(보통 실리콘)의 작은 편평한 조각(또는 "칩") 위에 있는 전자 회로의 집합이다. 작은 칩에 많은 수의 작은 MOS 트랜지스터를 통합한 결과, 분리된 전자 부품으로 구성된 회로보다 훨씬 작고, 빠르고, 저렴한 회로가 만들어졌다. 그러나, 이 칩들을 제조하는 회사들은 칩의 크기를 줄이는 것과 관련된 어려움이 있기 때문에 쉽지 않다. 일반적으로 무어의 법칙의 감소와 관련이 있지만 성능, 증가된 감속, 반도체 프로세스 노드 크기에 영향을 미치는 몇 가지 요인이 있다. 물리학과 사업목표가 결합된 효과로 인해 전자업계는 반도체 소자 혁신 속도 둔화를 우려하고 있다. 기본적으로, GAA는 게이트 재료가 3면에서 게이트로 덮이는 대신 4면에..

2022. 6. 28.