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반도체 금속 배선 공정

반도체 금속 배선 공정 반도체의 전도도는 도체와 부도체(예: 절연체) 사이에 있습니다. 이 특성을 통해 전류를 완전히 제어할 수 있습니다. 웨이퍼 기반 리소그래피, 에칭 및 증착 공정을 통해 트랜지스터 및 기타 구성 요소를 구성할 수 있지만 전력 및 신호 송수신을 위해서는 연결해야 합니다. 금속은 전도성 때문에 회로 상호 연결에 사용되며 다음 조건을 충족해야 합니다. 낮은 저항: 금속 회로는 전류를 통과해야 하므로 내부의 금속은 저항이 낮아야 합니다. 열화학적 안정성: 금속 재료의 특성은 금속 상호 연결 과정에서 변경되지 않은 상태로 유지되어야 합니다. 높은 신뢰성: 집적회로 기술의 발달로 소량의 금속 배선 재료라도 충분한 내구성을 가져야 합니다. 제조비용 : 앞의 3가지 조건이 충족되더라도 대량생산에 ..

2022. 10. 19.
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박막 성장 및 핵 생성

박막 성장 및 핵 생성 대부분의 경우 박막의 속성은 기판의 기본 속성에 영향을 받으며 박막의 두께와 증착에 사용되는 증착 기술에 따라 크게 달라질 수 있습니다. 박막 성장 및 핵 생성에는 세 가지 주요 단계가 필요합니다. 첫 번째 단계는 증착 종, 즉 기판 및 타깃 재료의 생성을 포함하고, 이어서 임의의 증착 기술을 사용하여 타깃에서 기판으로의 운송을 포함하며, 최종 단계는 기판 상의 타깃을 성장시켜 형성하는 것을 포함합니다. 얇은 필름. 타깃의 원자는 기판에 충돌하여 기판에서 즉시 반사되어 특정 체류 시간 후에 기체 상태로 다시 증발하거나 기판 표면에 응축될 수 있습니다. 이 과정은 여러 요인에 의해 영향을 받으며, 활성화 에너지, 표적과 기질 사이의 결합 에너지, 접착 계수 등을 포함합니다. 충돌하는..

2022. 10. 13.
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박막 증착 기술 개요

박막 증착 기술 개요 및 순서 박막 형성에 사용되는 대부분의 증착 기술은 본질적으로 비평형이기 때문에 박막은 벌크 재료에 비해 뚜렷한 이점 이 있습니다. 증착 기술은 다용도 및 다중 역학 재료에 대한 산업계의 계속 증가하는 수요를 충족하기 위해 박막 신소재 생성을 위한 필수 핵심으로 간주됩니다. 증착 기술은 박막의 거의 모든 속성을 결정하며 기존 속성을 수정하는 데 사용할 수도 있습니다. 모든 증착 기술이 미세 구조, 표면 형태, 마찰, 전기, 생체 적합성, 광학, 부식 및 경도와 같은 동일한 특성을 나타내는 것은 아니므로 적용 영역에 따라 증착 기술을 적절히 고려해야 합니다. 단일 재료를 다양한 용도에 사용할 수 있으며 다양한 증착 기술을 사용하여 최적의 요구 사항을 충족하도록 특성에 맞출 수 있습니다..

2022. 10. 12.
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포토 리소그래피 공정

포토 리소그래피 공정 설명 광학 레지스트 스트립 공정 포토 리소그래피 또는 UV 리소그래피라고도 하는 포토리소그래피는 박막 또는 기판(웨이퍼라고도 함)의 벌크에 부품을 패턴화 하기 위해 미세 가공에 사용되는 프로세스입니다. 이것은 빛을 사용하여 포토마스크(포토 마스크라고도 함)에서 기판의 감광성(즉, 감광성) 화학 포토레지스트로 기하학적 패턴을 전송합니다. 그런 다음 일련의 화학적 처리를 통해 노출 패턴을 재료에 에칭 하거나 포토레지스트 아래의 재료에 원하는 패턴으로 새로운 재료를 증착할 수 있습니다. 복잡한 집적 회로에서 CMOS 웨이퍼는 포토리소그래피 사이클을 최대 50회까지 거칠 수 있습니다. 포토리소그래피는 포토레지스트 에칭의 패턴이 직접(마스크를 사용하지 않고) 또는 포토마스크를 사용하여 투영된..

2022. 10. 11.
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실리콘 웨이퍼 산화

실리콘 웨이퍼의 열산화 산화는 집적회로(IC)를 만들기 위한 실리콘 웨이퍼 제조의 필수 단계입니다. 이 프로세스는 집적회로의 상호 연결된 다중 레벨 레이어 간의 전기적 절연과 같은 바이폴라 및 MOS(금속 산화물 반도체) 트랜지스터에 많은 이점을 제공합니다. 산화는 또한 표면 패시베이션을 제공하여 부식에 대한 장벽을 생성합니다. 산화의 또 다른 이점은 기판에 불순물이 주입되는 것으로부터 집적회로를 보호하는 것입니다. 산화 실리콘 웨이퍼의 응용 실리콘 웨이퍼를 산화시키는 공정에는 웨이퍼의 대부분을 구성하는 순수한 실리콘 위에 이산화규소(SiO2) 층을 생성하기 위해 열을 사용하는 다양한 특정 기술이 포함됩니다. 열 산화는 실리콘과 SiO2 층 사이의 계면에서 낮은 밀도의 전하를 필요로 하는 응용 분야에 가..

2022. 10. 10.
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반도체 공정 - 1. 웨이퍼 제조

반도체 공정 - 1. 웨이퍼 제조 IC의 제조 과정에서 트랜지스터와 같은 부품을 포함하는 전자 회로는 실리콘 결정 웨이퍼의 표면에 형성됩니다. IC 제조의 기초 1. 배선, 트랜지스터 및 기타 구성 요소를 형성할 박막층이 웨이퍼에 증착됩니다. (증착). 2. 박막은 포토레지스트로 코팅됩니다. 포토마스크 (레티클) 의 회로 패턴은 포토 리소그래피 기술을 사용하여 포토레지스트에 투영됩니다. 3.현상된 포토레지스트는 박막을 배선 및 기타 부품의 형상으로 가공하기 위한 식각용 마스크로 사용됩니다. 이것으로 회로의 한 층이 형성됩니다. 트랜지스터는 최하층에 형성된다. 그런 다음 유사한 프로세스가 반복되고 여러 회로 층이 서로의 위에 형성됩니다. 집적회로를 만드는 과정에서 패턴이 설계대로 제작되었는지 확인하기 위한..

2022. 9. 30.