인텔의 RibbonFET 기술을 대체할 FET
올해 Intel의 Architecture Day에서 회사는 새로운 Ribbon에 대해 논의했다. FET 트랜지스터 아키텍처는 인텔의 기존 FinFET 기술에 비해 상당히 향상된 기능을 제공한다. 이러한 업계 최초의 게이트 만능 아키텍처 구현으로 설계자는 전압에 관계없이 구동 전류 제어, 스위칭 효율성 및 성능을 극대화할 수 있다. 또한 설계자는 Ribbon의 너비를 변경할 수 있다. FET의 매우 유연한 Ribbon 기반 채널로 여러 고성능 애플리케이션에 적합하다.
현재 FET 기술의 공통 과제는 5nm 노드로 확장해야 하는 증가하는 요구를 충족할 수 없다는 것이다. RibbonFET는 채널 역할을 하는 나노 Ribbon의 단일 스택을 제공하여 공간 제약 설계를 위한 설치 공간을 크게 줄임으로써 이러한 장애물을 해결한다. Intel은 Ribbon을 통합함으로써 FET 및 기타 전원 관련 솔루션을 통해 엔지니어는 여러 워크로드에 대한 컴퓨팅 성능을 향상할 수 있다.
RibbonFET의 나노 Ribbon 단일 스택은 기존 FinFET 기술의 다중 스택과 동일한 드라이브 전류를 달성하는 동시에 훨씬 작은 설치 공간을 제공할 수 있다.. 설계자는 유연한 Ribbon기반 채널의 폭을 변경할 수 있으므로, Ribbon을 통합할 수 있다. 다양한 스위칭, 증폭 및 드라이버 애플리케이션에 대한 FET 기술이다.
실리콘 모스펫 대 새로운 FET 기술
기존의 실리콘 MOSFET에 비해 최신 FET 기술은 더 높은 성능, 전력 밀도 및 스위칭 효율성을 제공한다. 기존의 SiC MOSFET와 달리, UnitedSiC의 최신 4세대 SiC FET 기술은 더 나은 복구 속도와 순방향 전압 강하, 열 저항 감소, 결과적으로 최대 출력을 제공한다.
EPC2069 FET는 실리콘에 비해 상대적으로 높은 스위칭 주파수, 높은 효율 및 작은 풋프린트를 제공하므로 스위칭 손실, 역회수 손실 제로 및 높은 전력 밀도를 제공한다.
마찬가지로 RibbonFET는 전력 집약적인 애플리케이션을 수용하는 매우 유연한 채널을 제공한다. 게이트 만능 FET 아키텍처는 기존의 실리콘 MOSFET에는 없는 더 높은 구동 전류 제어를 허용한다.
