반도체 제조
1. 개요
웨이퍼에서 IC를 형성하는 데 사용되는 프로세스는 다음과 같다.
산화 - 가열된 산소 환경에 웨이퍼를 노출시킴으로써 웨이퍼 위에 이산화규소의 비활성 층이 형성된다.
비이미지 코팅을 제거하면서 웨이퍼에 경화된 포토레지스트 패턴을 남기는 용제 기반의 광민감성 수지 용액을 웨이퍼에 균일하게 도포한 후 가공하는 포토레지스트 도포, 노출 및 현상. 포토레지스트 어플리케이터는 빛에 민감하지 않은 코팅(스핀-온-글라스, 반사 방지 코팅)과 용제(에지 비드 제거제, 헥사메틸디실라잔(HMDS))를 도포할 수도 있다.
반응성 기체나 액체가 경화된 포토레지스트에 의해 보호되지 않는 웨이퍼 표면으로부터 이산화규소층을 제거하기 위해 사용되어 추가적인 처리를 위해 기초 실리콘을 노출시키는 에칭. 액체 에칭은 아래에 설명된 바와 같이 습식 화학 스테이션으로 분류된다.
포토레지스트 스트리핑(Photoresist stripping)은 웨이퍼에서 경화된 포토레지스트가 선택적 웨이퍼 표면 처리를 허용한 후 제거된다. 스트리핑 용액은 기초 웨이퍼 표면의 조성에 따라 유기 또는 무기일 수 있으며, 따라서 아래에 설명된 바와 같이 용매 스테이션 또는 습식 화학 스테이션으로 분류될 수 있다.
도핑(doping, diffusion, ion implant)은 웨이퍼가 노출된 실리콘 패턴에 침투하여 실리콘의 전기 전도도를 선택적으로 변형시켜 전자 부품 및 회로를 생성하는 것이다.
적층(epitaxial growth, 금속화 필름, 화학 기상 증착), 여기서 도핑된 웨이퍼는 실리콘(추가 회로 층을 위한 베이스를 형성하기 위해) 또는 금속(회로층과 외부 IC 패키지 사이의 전도성 연결을 형성하기 위해)으로 덮여 있다.
그외 프로세스는 다음과 같다.
CMP(Chemical Mechanical Polishing) - 가공 중 웨이퍼 평탄도를 유지하기 위해 웨이퍼 표면을 연마한다.
용제 스테이션. 웨이퍼 또는 공구가 용제 액체 또는 증기에 담그거나 용제 액체를 분사하여 세척된다.
무기 용액에 담그거나 이러한 용액을 분사하여 웨이퍼 또는 도구를 세척하거나 식각 하는 습식 화학 스테이션이다.
도구와 작업면을 제자리에서 또는 전용 스테이션에서 청소하는 경우 닦는다.
