반도체 제조 프로세스
반도체 제조는 패키지 집적회로(IC)를 생산하는 일련의 제조 공정을 말한다. 대부분의 패키지 IC는 별도의 제조업체에 의해 인쇄 회로 기판(PCB)에 조립된다. 그러나 마이크로프로세서 업그레이드 및 메모리 모듈과 같은 일부 패키징된 IC는 회로 기판에 사전 조립하지 않고 사용된다.
반도체 제조 과정은 크게 세 가지로 나눌 수 있다.
A. 빈 웨이퍼가 생산되는 빈 웨이퍼 생산은 보통 반도체 제조나 포장을 수행하지 않는 전용 시설에서 이루어진다.
B. 집적회로(IC)가 웨이퍼에서 생성되는 반도체 제조.
C. 조립 및 포장 - 웨이퍼를 개별 IC로 절단한 다음 인쇄 회로 기판에 조립하기 위한 패키지에 장착.
반도체 웨이퍼는 다양한 기판으로부터 만들어질 수 있다. 비소 갈륨(GaAs)과 인산 인듐(InP)이 있다. 일반적으로 모든 기질은 동일한 처리 단계를 가지며 규제된 오염 물질(POC, NPOC)의 유사한 배출을 갖는다. 그러나 기판마다 식각, 도핑 및 층화 작업을 위해 서로 다른 처리 재료를 사용해야 하므로, 유해 대기 오염 물질(HAP) 배출이 서로 다르다. 실리콘 기판 처리에 초점을 맞추고 있지만, 허용 지침 및 배출량 계산 방법은 어느 기판에도 적용할 수 있다.
